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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

的项目经验 该类目地处长半圆地域某祖国级半导体设备产业群四园,各个企业关键生产方式894英寸和1294英寸晶圆,东风日产量实现2万片。跟随着产量增强,多余的废污水外理操作系统已没有办法够满足节能让,亟需自动升级改进。创业项目总融资约11000万元,开发外理水平为300吨/日,于今年时间内投入使用投入使用。 废水处理方法基本成分及特征 该工业企业晶圆划区生产工序引发的电镀废水首要一般包括下列含量: 裁切步骤中应用的磨细液残渣物,包括基本成分为二硫化硅粒状、外壁活力剂和无机添加图片剂 晶圆表面层进行维护清洁产生了的含氟工业废水,氟阳离子酸度在80-120mg/L 少许巨资属铁离子如铜、镍等,从何而来于割孔方式刹车盘磨损 有机化学容剂残留物,收录异丙醇、甲苯等 pH值下降大,通畅在4-10期间 补救方法制作工艺 真对污水形态,制定用到"有机化学预加工+生物化学加工+深浅加工"的团体施工工艺: 调接池 :均衡性水环境排水量,设置成pH网络检测和重新加量设备 水泥混凝土沉淀物 :添加PAC和PAM,剔除悬停物和胶体溶液物 气浮第一单元 :采用了溶气气浮工艺技术进两步除去十分细小颗料和地方有机质物 生化学净化处理 :选取MBR膜生物制品化学植物细胞培养,生活污水含量能维持在8000-10000mg/L 层次外理 :灵活性碳物理吸附+反构建工序,为了确保有水出未达标 飞灰加工处理 :板框带式压滤机脱水过滤,活性污泥水分含量率降为60%下例 补救视觉效果 系统的增强运营后,出水量水体质量齐全实现《电子厂化学工业水造成的污染物质排卸的要求》(GB39731-2020)专门排卸限制值的要求: COD<30mg/L 氟亚铁离子<5mg/L 自动隐藏物<10mg/L 天价属哪项要求均不超过规定值 该项目每季度可降低感染物尾气排放标准量约COD 32吨、氟化物8.5吨,循环水率符合75%这些,为企业大大节省水电费性支出约115万元/年。

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